суббота, 21 мая 2016 г.

Samsung представила 6-Гбайт микросхему LPDDR4 класса 10 нм

Samsung во время фирменной конференции Samsung Mobile Solutions Forum, проводимой в Китае, представила 6‑ГБ модуль оперативной памяти LPDDR4, выполненный по 10‑нм техпроцессу. Аналитики уверены, что впервые его применят в фаблете Galaxy Note 6, анонс которого ожидается в августе.


Кроме 6‑ГБ 10‑нм модуля памяти Galaxy Note 6 может получит 5,8‑дюймовый AMOLED‑дисплей с разрешением 2560×1440 точек, процессор Snapdragon 823 от Qualcomm, аккумулятор на 4 000 мАч и сканер радужки глаза. Впрочем, не все аналитики уверены в оснащении фаблета именно этим типом ОЗУ, ведь его нужно успеть произвести в достаточном количестве. Так что первым гаджетом с данным модулем памяти может стать и флагман 2017‑го — Samsung Galаxy S8. » источник